根據集邦 TrendForce 旗下存儲業務研究部門 DRAMeXchange 的最新統計數字顯示，2015 年第四季度（10 月至 12 月）三星在半導體儲存芯片設計的表現相當可喜可賀。三星以 33.6% 的市場份額成為世界上規模最大的 NAND 儲存供應商。而排在第二名的的是東芝，所占市場份額為 18.6%。

很顯然，三星的目前的 NAND 儲存芯片設計份額很快相當于東芝的兩倍，最主要的原因在于三星正不斷壯大。有關 2015 年第三季度 DRAMeXchange 數據顯示，三星與東芝之間的差距才 10 個百分點左右，其中三星在全球 NAND 市場 的份額為 31.5%，東芝為 20.5%，如今東芝份額縮減反而三星上市，說明差距爭議迅猛的速度擴大。

不過，由于移動市場逐漸趨于飽和，整體 NAND 閃存市場全線出現季度性的下滑，但三星的 NAND 業務始終能夠成功在智能手機領域保持盈利，令業界相當刮目相看，因為只有為數不多的廠商實現增長。據數據，三星 2015 年第四季度營收環比增長了 4.2%， 除此之外僅閃迪增長了 0.1%，其余營收均出現負增長。

NAND 市場整體營收環比衰退了 2.3%，東芝跌幅最大，達到 11.3%，其實是下滑 9.3% 的 SK 海力士。不出意外的話，隨著全新智能手機 Galaxy S7 和 S7 Edge 陸續出貨上市，三星的 NAND 刪除業務仍會持續走強。

目前三星正力推最新基于 UFS 應用接口標準規格的 NAND 嵌入式閃存儲存，最近剛剛發布了第二版 UFS 2.0 嵌入式閃存。根據三星的解釋，新 UFS 閃存儲存的容量提升了一倍達到 256GB，并且體積更小，比傳統 NAND 閃存節省了約 50% 的儲存空間，三星表示其比外部 micro SD 卡更小。

更重要的是，得益于常用語 SSD 儲存的“命令隊列(Command Queue)”技術，即通過串行接口技術加速命令執行，其數據處理速度大幅提升，第二版的 UFS 2.0 閃存的持續讀取速度已經提升到了驚人的 850MB/s，這方面已經完全超越了傳統 SATA 接口的固態硬盤。

另外在寫入速度方面，三星第二版 UFS 2.0 256GB 閃存的持續寫入速度也達到了 260MB/S，這個速度相當于普通外置 microSD 卡大約三倍，同時隨機讀取和寫入讀/寫操作 IOPS 上升到了 45000 和 40000。

三星表示，目前眾多制造商的智能手機和平板電腦產品都已經采用了基于 USB 3.0 接口標準來設計，若搭配第二版 UFS 2.0 閃存的話，可以在 12 秒鐘內完成一部 5GB 容量大小的視頻，未來在移動設備上輕松觀看真 4K Ultra HD 超高清電視和視頻不是問題，而且還可以同時處理其他多任務。