理論上，采用HBM2的顯卡將具備高達(dá)每秒1024GB的顯存帶寬，這一速率兩倍于Fury X顯卡系列，更是三倍于英偉達(dá)的Titan X。

三星目前采用4GB的堆疊工藝，其計(jì)劃于今年晚些時(shí)候開始采用8GB工藝生產(chǎn)。

顯存帶寬的進(jìn)一步提升有望為用戶帶來更高的幀率，這一點(diǎn)在VR應(yīng)用領(lǐng)域尤為重要。此外，由于HMB2顯存的功耗更低，GPU有望獲取更大動(dòng)力，進(jìn)一步提升顯卡的整體性能。AMD表示，通過采用HBM技術(shù)，其Fury X顯卡在顯存方面的功耗最多減少了40至50瓦。

AMD將在即將面市的Polaris架構(gòu)產(chǎn)品上采用HBM2技術(shù)，而英偉達(dá)也將在Pascal上采用。

英特爾在某些處理器中采用EDRAM并獲得了一定程度的成功，但HBM2技術(shù)無疑能夠?yàn)镚PU在帶寬方面帶來更大的改善。雖然采用HBM2的APU無法對(duì)高端顯卡形成威脅，但中低端的產(chǎn)品很快將會(huì)感受到一定程度的壓力。